高低溫濕熱試驗(yàn)箱 適用于對(duì)產(chǎn)品（整機(jī)）、零部件、材料進(jìn)行高溫、低溫、高低溫循環(huán)試驗(yàn)，以及恒定濕熱和交變濕熱試驗(yàn)。本試驗(yàn)箱可用于散熱試驗(yàn)樣品和非散熱試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)。對(duì)于散熱試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)，其散熱功率不能超過(guò)試驗(yàn)箱制冷量，因制冷量為動(dòng)態(tài)值，其隨溫度點(diǎn)變化而有所變化，同時(shí)，較高濕度也會(huì)因散熱產(chǎn)品帶來(lái)熱量須冷卻平衡時(shí)引起凝露而受到影響。

高低溫濕熱試驗(yàn)箱 標(biāo) 準(zhǔn)：

GB10589-89 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件；GB10592-89 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件；

GB11158高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件；GB/T10586-89 濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件；

GB/T2423.1-2008 低溫試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法；GB/T2423.2-2008 高溫試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法；GB/T2423.3-2006 濕熱試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法；

GB/T2423.4-2008 交變濕熱試驗(yàn)方法 ；GB/T2423.22-2002 溫度變化試驗(yàn)方法；IEC60068-2-1.1990 低溫試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法；

IEC60068-2-2.1974 高溫試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法； GJB150.3 高溫試驗(yàn)；GJB150.4 低溫試驗(yàn)；   GJB150.9 濕熱試驗(yàn)；

高低溫濕熱試驗(yàn)箱 技術(shù)規(guī)格：

航天器件的可靠性一直被大家稱(chēng)頌，除了“不惜血本”投入外，在可靠性設(shè)計(jì)與質(zhì)量保證方面也有獨(dú)到的經(jīng)驗(yàn)。本文結(jié)合衛(wèi)星用DC/DC變換器研制過(guò)程中的情況，探秘可靠性設(shè)計(jì)方法，以及航天元器件質(zhì)量保證方法。

衛(wèi)星用DC/DC變換器的高可靠和長(zhǎng)壽命，是確保其完成飛行使命的基本條件之一。但人們對(duì)DC/DC變換器可靠性的認(rèn)識(shí)通常集中在元器件固有質(zhì)量或產(chǎn)品組裝工藝缺陷方面，往往忽略了系統(tǒng)設(shè)計(jì)（包括技術(shù)方案和電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)、輸入/輸出接口設(shè)計(jì)、環(huán)境試驗(yàn)條件適應(yīng)性設(shè)計(jì)等）缺陷和電壓、電流和溫度應(yīng)力對(duì)可靠性的影響。  

據(jù)美國(guó)海軍、電子實(shí)驗(yàn)室的統(tǒng)計(jì)，整機(jī)出現(xiàn)故障的原因和各自的百分比如表1所示。  
 

日本的統(tǒng)計(jì)資料表明，可靠性問(wèn)題的80％來(lái)源于設(shè)計(jì)方面（日本把元器件的選型和質(zhì)量等級(jí)的確定以及元器件的負(fù)荷能力等都?xì)w入設(shè)計(jì)上的原因）。國(guó)產(chǎn)星用DC/DC變換器雖然在軌試驗(yàn)中尚未出現(xiàn)失效現(xiàn)象的歷史記錄，但在地面試驗(yàn)中，已經(jīng)有過(guò)不少的故障歸零報(bào)告，基本上屬于設(shè)計(jì)缺陷。  
以上統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明，控制和減少由于技術(shù)方案選擇、電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)以及元器件使用設(shè)計(jì)原因所造成的DC/DC變換器故障，具有重要意義。  

DC/DC變換器供電方式的選擇  

DC/DC變換器供電方式的不同，對(duì)整個(gè)供電系統(tǒng)的可靠性有重大影響。衛(wèi)星用DC/DC變換器的配電系統(tǒng)一般有兩種方式：集中式供電和分布式供電。  

集中式供電的優(yōu)點(diǎn)是DC/DC變換器數(shù)量少，有利于控制和減少電源的體積和重量，同時(shí)簡(jiǎn)化了一次電源到DC/DC變換器之間的重復(fù)布線。缺點(diǎn)是電源的多負(fù)載，很難保證電源的輸出伏安特性滿(mǎn)足每個(gè)負(fù)載的要求。  

分布式供電系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是DC/DC變換器靠近供電負(fù)載，在減小傳輸損耗的同時(shí)提高了動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，這是解決低壓大電流（如2V/20A）問(wèn)題的必須和WEI一技術(shù)途徑。這種供電方式的基本特征是將負(fù)載功率或負(fù)載特性分解，分擔(dān)給多個(gè)、電源模塊來(lái)承擔(dān)。  

從可靠性模型上來(lái)說(shuō)，分布式供電系統(tǒng)的多個(gè)DC/DC變換器屬于可靠性并聯(lián)系統(tǒng)，容易組成N+1冗余供電，擴(kuò)展功率也相對(duì)容易。所以，采用分布式供電系統(tǒng)，能夠滿(mǎn)足航天電源產(chǎn)品的可靠性方案設(shè)計(jì)要求。目前，國(guó)產(chǎn)衛(wèi)星DC/DC變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，基本上實(shí)現(xiàn)了從分系統(tǒng)共用一個(gè)結(jié)構(gòu)模塊電源的集中供電方式，過(guò)渡到采用通用化、模塊化、小型化的“三化”電源產(chǎn)品的分布式供電。  

因此綜合考慮用電系統(tǒng)的具體需求，選擇合理的供電方式對(duì)提高DC/DC變換器供電系統(tǒng)的可靠性具有至關(guān)重要的意義。  

電路拓?fù)涞倪x擇與設(shè)計(jì)  
可供衛(wèi)星DC/DC變換器功率變換選用的基本電路拓?fù)溆?種，分別是單端正激式、單端反激式、雙單端正激式、推挽式、雙正激式、雙管正激式、半橋式、全橋式。  

前6種拓?fù)涔β书_(kāi)關(guān)管在關(guān)閉時(shí)要承受2倍輸入電壓。考慮到輸入電壓的變化范圍和電磁干擾電壓峰值，并要留有一定的安全余度，功率開(kāi)關(guān)管的耐壓值，需要達(dá)到輸入額定電壓的4倍以上。例如，當(dāng)輸入母線電壓+42V時(shí)，功率管的漏源電壓應(yīng)該為200V。  

推挽和全橋拓?fù)溆锌赡艹霈F(xiàn)單向磁偏飽和現(xiàn)象，主要是兩路功率開(kāi)關(guān)輪流導(dǎo)通時(shí)不*對(duì)稱(chēng)，使充磁和退磁的兩個(gè)伏秒面積不等而造成的。一旦出現(xiàn)該現(xiàn)象，一只功率管會(huì)首先損壞。近年來(lái)，在國(guó)外對(duì)推挽拓?fù)涞膯蜗虼牌M(jìn)行的專(zhuān)題研究中，發(fā)現(xiàn)功率開(kāi)關(guān)采用性能參數(shù)一致性好的MOSFET，就可以消除單向磁偏飽和現(xiàn)象。原因是MOSFET的導(dǎo)通損耗具有正溫度特性，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度平衡的功能，將自動(dòng)維持兩管伏秒面積的等值性。這些結(jié)論，我們已經(jīng)在多顆衛(wèi)星DC/DC變換器試驗(yàn)中得到了驗(yàn)證，應(yīng)該說(shuō)只要實(shí)施有效的可靠性技術(shù)措施，推挽拓?fù)涞拇箅娏鳌⒙省⒏呖煽績(jī)?yōu)勢(shì)會(huì)充份地發(fā)揮出來(lái)。  

理論分析和實(shí)踐結(jié)果表明，半橋拓?fù)渚哂凶詣?dòng)抗不平衡的能力。一般認(rèn)為，500W以下，雙管正激和半橋拓?fù)渚哂休^高的安全性和可靠性。  

單端反激拓?fù)洳贿m用于負(fù)載電流大范圍變化的情況，空載時(shí)的輸出電壓也會(huì)明顯增高。目前，國(guó)內(nèi)外廣泛采用外接電阻負(fù)載克服空載失控現(xiàn)象，但這會(huì)降低電源效率。由于電源輸出功率與外接電阻值成反比關(guān)系，因此，單端反激拓?fù)渲贿m用于輸出功率較小的場(chǎng)合。
失效模式及影響分析（FMEA） 
失效模式及影響分析是指，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程中，對(duì)組成產(chǎn)品的所有部件、元器件可能發(fā)生的故障造成的影響進(jìn)行分析，并規(guī)劃糾正措施。  

元器件的故障模式參照GJB電子設(shè)備可靠性預(yù)計(jì)手冊(cè)。分析中不考慮無(wú)關(guān)的雙重故障，但考慮單一故障引起的連鎖影響，即二次故障。  

由于航天器DC/DC變換器的高可靠要求，供電系統(tǒng)不允許單點(diǎn)故障的存在，因此一般要考慮備份冗余設(shè)計(jì)。但不是說(shuō)考慮了備份冗余以后，進(jìn)行FMEA的結(jié)果就不存在單點(diǎn)故障。因?yàn)椋砻嫔峡床皇菃吸c(diǎn)故障的失效模式，深入分析后就會(huì)發(fā)現(xiàn)由于共陰模式的存在而導(dǎo)致單點(diǎn)失效。  

例如，某DC/DC變換器主要功能電路如圖1所示。  
 

DC/DC變換器電路框圖  

按照?qǐng)D1所示的DC/DC變換器電路原理框圖，建立相應(yīng)的可靠性計(jì)算模型。  

DC/DC變換器可靠性框圖  

其中，λ1、R1為輸入濾波電路的失效率、可靠度；λ2、R2為主電路的失效率、可靠度；λ3、R3為輸出濾波電路的失效率、可靠度。可靠性模型中的主電路內(nèi)部各功能電路為串聯(lián)結(jié)構(gòu)。  

所示可以計(jì)算其可靠度。  

RS=R1·R2·R3    （1）  

其可靠度計(jì)算結(jié)果為（45℃，3年）：0.993 14。  

如果對(duì)上述DC/DC變換器進(jìn)行備份冗余設(shè)計(jì)后，其電路如圖3所示。  

備份冗余后DC/DC變換器電路框圖  

建立相應(yīng)的可靠性計(jì)算模型圖。  

其中，λ1、R1為輸入濾波電路的失效率、可靠度；λ2、R2為主備份電路的失效率、可靠度；λ3、R3為輸出濾波電路的失效率、可靠度。可靠性模型中的主電路內(nèi)部各功能電路為串聯(lián)結(jié)構(gòu)。  

可以計(jì)算其可靠度。  

RS=R1·[1-2(1-R2)]·R3    （2）  

計(jì)算結(jié)果為（45℃，3年）：0.999 65。  

可見(jiàn)，進(jìn)行備份冗余設(shè)計(jì)后，DC/DC變換器的可靠度可以大大提高。  

降額設(shè)計(jì)  

因電子產(chǎn)品的可靠性對(duì)電應(yīng)力和溫度應(yīng)力較敏感，故而降額設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)電子產(chǎn)品則顯得尤為重要，成為可靠性設(shè)計(jì)中*的組成部分。按照GJBZ35-93的要求，航天器所用元器件的所有參數(shù)必須實(shí)施Ⅰ級(jí)降額。  

DC/DC變換器中所用元器件種類(lèi)較多，有阻容器件、大功率半導(dǎo)體器件、電感器件、繼電器、保險(xiǎn)絲等，針對(duì)不同器件要分析需要降額的所有參數(shù)，且要綜合考慮。而且，對(duì)同一器件不同參數(shù)做降額時(shí)要考慮參數(shù)之間的相互影響，即一個(gè)參數(shù)作調(diào)整時(shí)往往會(huì)帶  

來(lái)其他工作參數(shù)的變化。對(duì)半導(dǎo)體器件，即使是各參數(shù)均降額了，終還要?dú)w結(jié)到結(jié)溫是否滿(mǎn)足降額要求。  

降額設(shè)計(jì)要建立在對(duì)電路工作狀態(tài)認(rèn)真分析的基礎(chǔ)上，確認(rèn)達(dá)到預(yù)期效果。例如，對(duì)電容器額定電壓的降額，由于器件特性的差異（如漏電流、RSE等)，簡(jiǎn)單串聯(lián)后并不能*降額要求。  

熱設(shè)計(jì)  

產(chǎn)品研制經(jīng)驗(yàn)告訴我們，熱應(yīng)力對(duì)電源可靠性的影響往往不亞于電應(yīng)力。電源內(nèi)部功率器件的局部過(guò)熱，包括輸出整流管的發(fā)熱，很可能導(dǎo)致失效現(xiàn)象發(fā)生。當(dāng)溫度超過(guò)一定值時(shí)，失效率呈指數(shù)規(guī)律增加，當(dāng)達(dá)到極限值時(shí)將導(dǎo)致元器件失效。國(guó)外統(tǒng)計(jì)資料指出，溫度每升高2℃，電子元器件的可靠性下降10％，器件溫升50℃時(shí)的壽命只有溫升25℃時(shí)的1/6，足見(jiàn)熱設(shè)計(jì)的必要性。電源熱設(shè)計(jì)的原則有兩個(gè)：一是提高功率變換效率，選用導(dǎo)通壓降小的元器件簡(jiǎn)化電路，減少發(fā)熱源。二是實(shí)施熱轉(zhuǎn)移和熱平衡措施，防止和杜絕局部發(fā)熱現(xiàn)象。  

由于衛(wèi)星所處空間環(huán)境的影響，散熱方式只有輻射和傳導(dǎo)，且由于安裝位置的影響，DC/DC變換器一般主要通過(guò)傳導(dǎo)進(jìn)行散熱，也就是通過(guò)機(jī)殼安裝面，將DC/DC變換器產(chǎn)生的熱量經(jīng)設(shè)備結(jié)構(gòu)傳導(dǎo)到設(shè)備殼體，再由設(shè)備安裝面?zhèn)鲗?dǎo)到衛(wèi)星殼體，由整星進(jìn)行溫控。  

1 MOSFET熱耗控制  

MOSFET的熱耗主要來(lái)自導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗兩部分。導(dǎo)通損耗是由于MOSFET的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的，開(kāi)關(guān)損耗是由MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)斷特性產(chǎn)生的，而MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)斷特性取決于MOSFET的器件參數(shù)（如輸入電容）、驅(qū)動(dòng)波形、工作頻率、電路寄生參數(shù)等因素。  

開(kāi)關(guān)損耗的控制主要有以下幾點(diǎn)。  

①針對(duì)不同的MOSFET設(shè)計(jì)各自的柵極驅(qū)動(dòng)，加速M(fèi)OSFET的開(kāi)啟和關(guān)斷。另外，通過(guò)驅(qū)動(dòng)加速電容，使得驅(qū)動(dòng)波形的上升沿時(shí)間縮短。  

②綜合考慮設(shè)計(jì)合理的工作頻率。  

③通過(guò)變壓器繞制工藝設(shè)計(jì)，控制變壓器的漏感，進(jìn)而減小MOSFET的漏源極電壓尖峰。如反激型變壓器設(shè)計(jì)就采用“三明治”式繞法，即初級(jí)繞組先繞一半，再繞次級(jí)繞組，繞后再將初級(jí)繞組剩余的匝數(shù)繞完，后將次級(jí)繞組包裹在里面，這樣漏感小。   

④通過(guò)吸收電路的設(shè)計(jì)，進(jìn)一步控制由于變壓器漏感引起的MOSFET漏源極電壓尖峰。設(shè)計(jì)原則是吸收電路的自身?yè)p耗較小且盡可能有效地控制電壓尖峰。  

一般通過(guò)上述電路設(shè)計(jì)，MOSFET熱耗可以達(dá)到比較理想的結(jié)果。  

2 變壓器熱耗控制  

變壓器熱耗主要來(lái)自磁滯損耗、渦流損耗和電阻損耗。磁滯損耗與變壓器繞組和工作方式有關(guān)，可以由公式（3）表示。渦流損耗是由磁芯內(nèi)環(huán)流造成的；電阻損耗是由變壓器繞組電阻產(chǎn)生的，分直流電阻損耗和集膚效應(yīng)電阻損耗兩種。  

Peddy≈khVefSWB2MAX    （3）  

式中，Kh——材料的磁滯損耗常數(shù)；  

Ve——磁芯體積，單位為cm3；  

fSW——開(kāi)關(guān)頻率，單位為Hz；  

BMAX——工作磁通密度的大偏移值，單位為G。  

對(duì)磁滯損耗的控制設(shè)計(jì)中主要有以下幾點(diǎn)。  

① 設(shè)計(jì)比較合適的工作頻率；  

② 合適的初級(jí)繞組匝數(shù)；  

③ 工作磁通密度的大偏移值的降額設(shè)計(jì)。  

在電阻損耗的控制設(shè)計(jì)中，盡量采用多股線替代單根線，從而將變壓器磁芯繞滿(mǎn)。  

3 輸出整流電路熱耗控制  

輸出整流電路的熱耗主要由整流二極管產(chǎn)生，整流二極管熱耗主要來(lái)自導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗兩部分。對(duì)于導(dǎo)通損耗的控制設(shè)計(jì)主要是根據(jù)輸出電流和工作頻率選擇合適的整流二極管，如快恢復(fù)二極管或肖特基二極管。  

對(duì)于開(kāi)關(guān)損耗的控制主要有以下幾點(diǎn)。  

①選擇反向恢復(fù)特性好的整流管；  

②通過(guò)吸收電路的設(shè)計(jì)，控制整流管反向電壓尖峰。  

衛(wèi)星DC/DC變換器的可靠性分析與計(jì)算  

產(chǎn)品的可靠性取決于產(chǎn)品的失效率，而失效率隨工作時(shí)間的變化具有不同的特點(diǎn)。根據(jù)長(zhǎng)期以來(lái)的理論研究和數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)可發(fā)現(xiàn)，由許多元器件構(gòu)成的機(jī)器、設(shè)備或系統(tǒng)，在不進(jìn)行預(yù)防性維修時(shí)，或者不可修復(fù)的產(chǎn)品，其失效率曲線的典型形態(tài)相似于浴盆的剖面，所以又稱(chēng)為浴盆曲線（Bathtub-curve）。  失效率明顯地分為三個(gè)不同的階段或時(shí)期。段曲線是元件的早期失效期，表明元件在開(kāi)始使用時(shí)的失效率很高，但隨著產(chǎn)品工作時(shí)間的增加，失效率迅速降低，屬于遞減型——DFR（Decreasing Failure Rate）型。其失效原因大多屬于設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷和元器件固有缺陷一類(lèi)。為了縮短早期失效的時(shí)間，產(chǎn)品應(yīng)在投入運(yùn)行之前進(jìn)行試運(yùn)轉(zhuǎn)，以便及早發(fā)現(xiàn)、修正和排除缺陷；或通過(guò)試驗(yàn)進(jìn)行篩選和淘汰次品，以便改善其技術(shù)狀態(tài)。  
第二階段曲線是元件的偶然（也稱(chēng)隨機(jī)）失效期，特點(diǎn)是失效率低且穩(wěn)定，可近似看做常數(shù)，失效屬于恒定期——CFR（Constant Failure Rate）型。產(chǎn)品的可靠性指標(biāo)所描述的就是這個(gè)時(shí)期，它是產(chǎn)品的良好使用階段。產(chǎn)品的壽命試驗(yàn)、可靠性試驗(yàn)一般都是在偶然失效期進(jìn)行的。  
產(chǎn)品的失效是由多種不太嚴(yán)重的偶然因素引起的，通常是產(chǎn)品設(shè)計(jì)余度不夠造成隨機(jī)失效。研究這一時(shí)期的失效原因，對(duì)提高產(chǎn)品的可靠性具有重要意義。因?yàn)樵谶@一階段中，產(chǎn)品失效率近似為一個(gè)常數(shù)。  

第三段曲線是元件的損耗失效期，失效率隨時(shí)間延長(zhǎng)而急速增加，元件的失效率屬于遞增型——IFR（Increasing failure Rate）型。到了此時(shí)，元件損傷嚴(yán)重或已經(jīng)疲勞，壽命即將結(jié)束。  

一般在進(jìn)行可靠度預(yù)計(jì)時(shí)，進(jìn)口元器件失效率數(shù)據(jù)參考MIL-HDBK-217F，國(guó)產(chǎn)元器件失效率數(shù)據(jù)參考GJB/Z 299C。 
航天電子元器件的質(zhì)量保證
　　元器件的質(zhì)量保證是航天產(chǎn)品質(zhì)量保證的重要組成部分,包括生產(chǎn)過(guò)程的質(zhì)量保證和非生產(chǎn)過(guò)程的質(zhì)量保證(或稱(chēng)應(yīng)用領(lǐng)域的質(zhì)量保證)兩部分。元器件質(zhì)量保證流程包括:選用、采購(gòu)、監(jiān)制、下廠驗(yàn)收、到貨檢驗(yàn)、補(bǔ)充篩選、特殊試驗(yàn)、發(fā)放、貯存和傳遞、裝聯(lián)、調(diào)試、整機(jī)現(xiàn)場(chǎng)使用、失效分析、質(zhì)量反饋等過(guò)程。
（1）元器件保證大綱
　　航天產(chǎn)品方案論證階段結(jié)束后應(yīng)編制元器件保證大綱,作為產(chǎn)品研制階段組織實(shí)施和監(jiān)督檢查元器件保證工作的依據(jù)。元器件保證大綱在各個(gè)研制階段有不同的內(nèi)容和要求,因此,各個(gè)研制階段需要修訂元器件保證大綱。首先要落實(shí)元器件保證大綱應(yīng)包括的主要內(nèi)容,明確擬制單位以及檢查執(zhí)行情況的方法。
（2）元器件的合理選用　　根據(jù)元器件在電路中的使用特性進(jìn)行設(shè)計(jì)分析并合理選用元器件,是航天產(chǎn)品元器件可靠性的基礎(chǔ)。要明確設(shè)計(jì)師系統(tǒng)選用元器件的基本準(zhǔn)則,如降額使用、容差設(shè)計(jì)、質(zhì)量等級(jí)以及質(zhì)量等級(jí)的繼承性等。特別要考慮航天產(chǎn)品用元器件的特殊環(huán)境適應(yīng)能力,例如熱設(shè)計(jì)方案、靜電敏感元器件靜電敏感度的選擇和半導(dǎo)體器件的輻射強(qiáng)度保證(RHA)等級(jí)的選擇。設(shè)計(jì)師系統(tǒng)在依照元器件選用準(zhǔn)則選擇元器件時(shí),應(yīng)SOU選型號(hào)產(chǎn)品優(yōu)選目錄內(nèi)的元器件,如選用目錄以外的廠點(diǎn)和產(chǎn)品時(shí),必須按航天產(chǎn)品的規(guī)定填寫(xiě)選用目錄外電子元器件申請(qǐng)表并簽署完整后,上報(bào)總體單位,經(jīng)總體單位評(píng)審、批準(zhǔn)返回后方可選用。
（3）規(guī)范采購(gòu)與庫(kù)存管理　　按照航天系統(tǒng)要求,元器件采購(gòu)必須按照“走規(guī)定渠道,趕階段計(jì)劃,抓質(zhì)量保證”的原則,由有關(guān)廠(所)編制元器件采購(gòu)文件,經(jīng)型號(hào)總體組織專(zhuān)門(mén)審查。然后,型號(hào)總體統(tǒng)一組織有關(guān)廠(所),按照通過(guò)審查的采購(gòu)文件簽訂訂貨合同。元器件采購(gòu)應(yīng)貫徹“保證質(zhì)量,控制進(jìn)度,節(jié)省經(jīng)費(fèi),盡量集中”的方針,變單純買(mǎi)賣(mài)元器件為積極主動(dòng)參與元器件的質(zhì)量管理。要明確采購(gòu)文件的組成、采購(gòu)清單的評(píng)審要求和采購(gòu)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范的主要內(nèi)容。 元器件的庫(kù)存管理直接關(guān)系到元器件的使用質(zhì)量,因此要明確元器件的貯存條件、庫(kù)房的管理要求,建立元器件發(fā)放制度,提出對(duì)失效元器件的管理要求。
（4）元器件的監(jiān)制、試驗(yàn)和驗(yàn)收　　按《中國(guó)航天工業(yè)總公司航天型號(hào)用元器件質(zhì)量管理規(guī)定》要求,元器件質(zhì)量管理必須全面貫徹“統(tǒng)一組織、源頭抓起、嚴(yán)格管理、照章辦事”的原則,元器件質(zhì)量管理工作實(shí)行總公司、型號(hào)總體院(基地)和廠(所)三級(jí)管理,以型號(hào)總體院(基地)為主的原則。型號(hào)總體院(基地)必須對(duì)型號(hào)配套的所有分系統(tǒng)用元器件的質(zhì)量進(jìn)行統(tǒng)一監(jiān)控。由航天科技集團(tuán)公司電子元器件可靠性中心具體實(shí)施管理,把好電子元器件入口關(guān)、檢驗(yàn)關(guān)、使用關(guān)。其主要職責(zé)為:負(fù)責(zé)電子元器件下廠監(jiān)制和驗(yàn)收、到貨檢驗(yàn)、補(bǔ)充篩選、簽發(fā)裝機(jī)合格證、失效分析等;負(fù)責(zé)電子元器件可靠性數(shù)據(jù)的采集和處理,并及時(shí)向用戶(hù)反饋電子元器件質(zhì)量信息;按照航天總體的其他規(guī)定實(shí)施電子元器件質(zhì)量控制。元器件的生產(chǎn)、試驗(yàn)和驗(yàn)收,是保證元器件質(zhì)量的重要環(huán)節(jié),也是航天產(chǎn)品元器件可靠性的關(guān)鍵控制點(diǎn),其過(guò)程控制的好壞決定了元器件的固有質(zhì)量。電子元器件按功能劃分,有電子元件、分立器件和微電路等;按采購(gòu)渠道劃分,有進(jìn)口和國(guó)產(chǎn)元器件之分;按產(chǎn)品成熟性劃分,有貨架產(chǎn)品和新品器件。不同元器件有不同的控制要求,在下廠監(jiān)制和驗(yàn)收、到貨檢驗(yàn)時(shí)應(yīng)有不同的處理方法和程序。因此,應(yīng)將元器件分門(mén)別類(lèi)地進(jìn)行劃分,規(guī)定各類(lèi)元器件的監(jiān)制方式、特殊試驗(yàn)要求和驗(yàn)收辦法,并明確相應(yīng)的程序和執(zhí)行單位或部門(mén)。
（5）補(bǔ)充篩選(二次篩選)管理　　對(duì)于驗(yàn)收合格的元器件,必須根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品對(duì)元器件質(zhì)量控制要求進(jìn)行補(bǔ)充篩選(二次篩選),按照不同產(chǎn)品的不同階段明確補(bǔ)充篩選的要求、委托單位、委托程序和補(bǔ)充篩選后元器件的處理辦法。
（6）破壞性物理分析　　元器件DPA(破壞性物理分析)的主要目的是要防止有明顯或潛在缺陷的元器件裝機(jī)使用。除用于元器件的質(zhì)量鑒定外,在航天產(chǎn)品中,還用于元器件的驗(yàn)收、裝機(jī)前元器件的質(zhì)量復(fù)查、元器件超期復(fù)驗(yàn)以及元器件的失效分析。在一般產(chǎn)品上,DPA通常用于已裝機(jī)元器件的質(zhì)量驗(yàn)證。在航天產(chǎn)品上,DPA必須在元器件裝機(jī)以前完成,因此,需明確航天產(chǎn)品用元器件進(jìn)行DPA的時(shí)機(jī)、DPA的試驗(yàn)項(xiàng)目、實(shí)施DPA的機(jī)構(gòu)、DPA的數(shù)據(jù)記錄要求和DPA結(jié)果的處理方法。
（7）元器件的裝機(jī)控制　　元器件在裝配過(guò)程中的質(zhì)量控制也是元器件可靠性控制的重要環(huán)節(jié)之一。必須對(duì)操作和檢驗(yàn)提出明確的控制要求,特別是對(duì)于裝配、調(diào)試過(guò)程中出現(xiàn)的失效元器件,一定要詳細(xì)規(guī)定處理程序、處理方法和責(zé)任部門(mén),以確保裝配、調(diào)試過(guò)程中元器件的質(zhì)量控制。
（8）元器件的失效分析方法　　元器件失效分析的主要任務(wù)是對(duì)失效的元器件進(jìn)行必要的電、物理、化學(xué)的檢測(cè),并結(jié)合元器件失效前后的具體情況及有關(guān)技術(shù)文件進(jìn)行分析,以確定元器件的失效模式、失效機(jī)理和造成失效的原因。通過(guò)失效分析可以發(fā)現(xiàn)失效元器件的固有質(zhì)量問(wèn)題,也有可能發(fā)現(xiàn)元器件因不按規(guī)定條件使用而失效的使用質(zhì)量問(wèn)題,通過(guò)向有關(guān)方面反饋,促使責(zé)任方采取糾正措施,提高元器件的固有質(zhì)量或使用質(zhì)量。相對(duì)來(lái)說(shuō),失效模式的確定比較簡(jiǎn)單,而確定失效機(jī)理的難度較大,分析人員必須掌握元器件的設(shè)計(jì)、工藝和有關(guān)的理化知識(shí),并有一定的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。此外,還要具備較復(fù)雜的儀器、設(shè)備。在明確失效機(jī)理后,還必須找出失效原因,才能避免重復(fù)失效,提高元器件的固有質(zhì)量或使用質(zhì)量。但根據(jù)失效機(jī)理確定失效原因,往往涉及失效現(xiàn)場(chǎng)和責(zé)任人等具體情況,確定起來(lái)有相當(dāng)大的難度。因此,首先要確定進(jìn)行失效分析的單位,規(guī)定提交失效分析的程序和失效信息,以及產(chǎn)品研制各階段失效元器件的失效信息記錄要求等,然后,根據(jù)失效分析的結(jié)論,對(duì)引起失效的原因進(jìn)行歸零處理。若為設(shè)計(jì)缺陷,應(yīng)和生產(chǎn)廠家一起找出問(wèn)題所在并進(jìn)行改進(jìn);若為操作失誤,必須嚴(yán)格操作規(guī)范,避免引入人為的失誤。從而達(dá)到失效分析的目的,使器件制造和生產(chǎn)操作更上一個(gè)臺(tái)階。
（9）元器件質(zhì)量信息的管理　　在元器件選用、采購(gòu)、監(jiān)制和驗(yàn)收、篩選和復(fù)驗(yàn)以及失效分析5個(gè)質(zhì)量保證環(huán)節(jié)中,存在大量的元器件質(zhì)量信息,例如,選用目錄外元器件的規(guī)格、型號(hào)、生產(chǎn)廠商、質(zhì)量等級(jí)以及在航天產(chǎn)品上的使用情況;國(guó)內(nèi)新品器件的研制廠家及新品器件使用情況;進(jìn)口器件的質(zhì)量保證情況;元器件失效分析報(bào)告和處理情況等。這些信息對(duì)于從事航天產(chǎn)品研究的單位來(lái)說(shuō)都是極大的財(cái)富,應(yīng)該建立起航天產(chǎn)品元器件信息庫(kù),以積累寶貴的經(jīng)驗(yàn),為后續(xù)航天產(chǎn)品的的研制提供服務(wù)。要建立航天產(chǎn)品元器件信息庫(kù),就要明確管理信息庫(kù)的相應(yīng)部門(mén),規(guī)定信息庫(kù)中收集、處理和保管元器件信息的種類(lèi)、保管信息的時(shí)間、提供信息的方法。